應用原理 / Principle

Light-Induced Annealing（LIA）： α-Si：H/c-Si的界面存在大量的界面態（Si懸掛鍵），研究發現，在光照的情況下，對此結構進行加熱退火，可以有效減少界面態（Si懸掛鍵）密度，降低界面復合，從而提高非晶硅的鈍化效果。這個現象稱之為光誘導退火，簡稱LIA；HJT電池結構中，存在α-Si：H /c-Si的界面；在光照情況下，對HJT電池進行加熱退火，發現電池轉換效率明顯上升，主要體現在Voc和FF的提升上。